0 0 0
  8. SIRA32DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA32DP-T1-RE3

 
SIRA32DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778478
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 148А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
71.52 грн
5+
64.36 грн
20+
51.65 грн
54+
48.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
148А(1744094)
Опір в стані провідності
1,83мОм(1960024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
83нКл(1479330)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...16В(1979763)
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA32DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778478
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 148А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
71.52 грн
5+
64.36 грн
20+
51.65 грн
54+
48.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
148А
Опір в стані провідності
1,83мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
83нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...16В
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g