0 0 0
  8. SIRA72DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA72DP-T1-GE3

 
SIRA72DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778415
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.05 грн
5+
73.11 грн
18+
58.80 грн
48+
55.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
4,8мОм(1479248)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36,3Вт(1960036)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA72DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778415
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.05 грн
5+
73.11 грн
18+
58.80 грн
48+
55.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
4,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
63нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g