0 0 0
  8. SIRA84BDP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA84BDP-T1-GE3

 
SIRA84BDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778454
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 56А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.01 грн
25+
20.74 грн
61+
16.53 грн
165+
15.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
56А(1479382)
Опір в стані провідності
7,1мОм(1632955)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
23Вт(1507402)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA84BDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778454
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 56А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.01 грн
25+
20.74 грн
61+
16.53 грн
165+
15.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
56А
Опір в стані провідності
7,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
23Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g