0 0 0
  8. SIRA88DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA88DP-T1-GE3

 
SIRA88DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778517
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 36,4А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
25.11 грн
25+
22.41 грн
56+
18.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
36,4А(1960069)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
16Вт(1608400)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25,5нКл(1936867)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA88DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778517
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 36,4А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
25.11 грн
25+
22.41 грн
56+
18.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
36,4А
Опір в стані провідності
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
16Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g