0 0 0
  8. SIRA99DP-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIRA99DP-T1-GE3

 
SIRA99DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794779
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -156А; Idm: -400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.14 грн
5+
178.43 грн
7+
142.58 грн
20+
135.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-156А(1960098)
Опір в стані провідності
2,65мОм(1851124)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
66,6Вт(1811055)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
260нКл(1479537)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-400А(1758560)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIRA99DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794779
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -156А; Idm: -400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.14 грн
5+
178.43 грн
7+
142.58 грн
20+
135.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-156А
Опір в стані провідності
2,65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
66,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
260нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g