0 0 0
  8. SIRS700DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIRS700DP-T1-RE3

 
SIRS700DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778519
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 102А; Idm: 350А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
335.42 грн
5+
239.02 грн
12+
225.47 грн
500+
223.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
102А(1625139)
Опір в стані провідності
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
84Вт(1741978)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
130нКл(1479431)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
350А(1811067)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRS700DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778519
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 102А; Idm: 350А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
335.42 грн
5+
239.02 грн
12+
225.47 грн
500+
223.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
102А
Опір в стані провідності
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
84Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
130нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
350А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g