0 0 0
  8. SIS128LDN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS128LDN-T1-GE3

 
SIS128LDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778543
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 26,9А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.39 грн
5+
50.54 грн
25+
40.53 грн
69+
38.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
26,9А(1960049)
Опір в стані провідності
20,3мОм(1632968)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS128LDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778543
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 26,9А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.39 грн
5+
50.54 грн
25+
40.53 грн
69+
38.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
26,9А
Опір в стані провідності
20,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g