0 0 0
  8. SIS178LDN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS178LDN-T1-GE3

 
SIS178LDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778421
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 70В; 36,2А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
63.57 грн
10+
49.75 грн
25+
44.82 грн
28+
36.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
70В(1441528)
Струм стока
36,2А(1960034)
Опір в стані провідності
13,5мОм(1479016)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
28,5нКл(1609985)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS178LDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778421
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 70В; 36,2А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
63.57 грн
10+
49.75 грн
25+
44.82 грн
28+
36.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
70В
Струм стока
36,2А
Опір в стані провідності
13,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
28,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g