0 0 0
  8. SIS184DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS184DN-T1-GE3

 
SIS184DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778458
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 52,2А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.53 грн
5+
89.00 грн
14+
71.52 грн
39+
67.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
52,2А(1960051)
Опір в стані провідності
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33,3Вт(1741824)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS184DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778458
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 52,2А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.53 грн
5+
89.00 грн
14+
71.52 грн
39+
67.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
52,2А
Опір в стані провідності
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g