0 0 0
  8. SIS402DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS402DN-T1-GE3

 
SIS402DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947623
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
120.52 грн
10+
103.08 грн
25+
90.39 грн
27+
37.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS402DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947623
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
120.52 грн
10+
103.08 грн
25+
90.39 грн
27+
37.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g