0 0 0
  8. SIS427EDN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIS427EDN-T1-GE3

 
SIS427EDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794755
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -44,3А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.21 грн
5+
39.09 грн
25+
35.12 грн
35+
27.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-44,3А(1960096)
Опір в стані провідності
21,3мОм(1936762)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
66нКл(1512593)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-110А(1789208)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIS427EDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794755
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -44,3А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.21 грн
5+
39.09 грн
25+
35.12 грн
35+
27.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-44,3А
Опір в стані провідності
21,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
66нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-110А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g