0 0 0
  8. SIS429DNT-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIS429DNT-T1-GE3

 
SIS429DNT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794763
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -20А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.62 грн
25+
17.48 грн
71+
14.06 грн
193+
13.27 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-20А(1492322)
Опір в стані провідності
34мОм(1441517)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
17,8Вт(1785140)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-50А(1810523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIS429DNT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794763
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -20А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.62 грн
25+
17.48 грн
71+
14.06 грн
193+
13.27 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-20А
Опір в стані провідності
34мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
17,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
50нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g