0 0 0
  8. SIS434DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS434DN-T1-GE3

 
SIS434DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947615
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.19 грн
10+
56.45 грн
22+
45.59 грн
60+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
17,6А(1801411)
Опір в стані провідності
7,6мОм(1599496)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS434DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947615
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.19 грн
10+
56.45 грн
22+
45.59 грн
60+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
17,6А
Опір в стані провідності
7,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
40нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g