0 0 0
  8. SIS438DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS438DN-T1-GE3

 
SIS438DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778470
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 16А; Idm: 32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
46.25 грн
25+
40.76 грн
28+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
12,5мОм(1441540)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
17,5Вт(1742023)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS438DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778470
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 16А; Idm: 32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
46.25 грн
25+
40.76 грн
28+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
12,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
17,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g