0 0 0
  8. SIS472ADN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS472ADN-T1-GE3

 
SIS472ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778588
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.22 грн
5+
24.00 грн
25+
21.62 грн
58+
17.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
18Вт(1449533)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS472ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778588
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.22 грн
5+
24.00 грн
25+
21.62 грн
58+
17.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
10,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
18Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
44нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g