0 0 0
  8. SIS698DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS698DN-T1-GE3

 
SIS698DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778481
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 5,5А; Idm: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
46.25 грн
25+
40.76 грн
28+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
0,23Ом(1503652)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
12,7Вт(1785132)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8нКл(1479070)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS698DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778481
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 5,5А; Idm: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
46.25 грн
25+
40.76 грн
28+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
0,23Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
12,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g