0 0 0
  8. SIS822DNT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS822DNT-T1-GE3

 
SIS822DNT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778615
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
16.65 грн
25+
15.07 грн
85+
12.05 грн
230+
11.34 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
10Вт(1449554)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS822DNT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778615
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
16.65 грн
25+
15.07 грн
85+
12.05 грн
230+
11.34 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
10Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g