0 0 0
  8. SIS890ADN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS890ADN-T1-GE3

 
SIS890ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778482
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 19,8А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
48.79 грн
25+
42.99 грн
26+
38.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
19,8А(1960056)
Опір в стані провідності
29мОм(1479159)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
29нКл(1479212)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS890ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778482
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 19,8А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
48.79 грн
25+
42.99 грн
26+
38.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
19,8А
Опір в стані провідності
29мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
29нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g