0 0 0
  8. SIS892ADN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIS892ADN-T1-GE3

 
SIS892ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1150890
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.14 грн
5+
53.38 грн
25+
40.63 грн
67+
38.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
52Вт(1507407)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6,1нКл(1479080)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,102 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIS892ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1150890
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.14 грн
5+
53.38 грн
25+
40.63 грн
67+
38.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
52Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,102 g