0 0 0
  8. SISA12ADN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISA12ADN-T1-GE3

 
SISA12ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947614
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.97 грн
10+
44.39 грн
25+
39.23 грн
30+
34.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
18Вт(1449533)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISA12ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947614
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.97 грн
10+
44.39 грн
25+
39.23 грн
30+
34.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
18Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g