0 0 0
  8. SISA35DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISA35DN-T1-GE3

 
SISA35DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794793
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.64 грн
10+
28.52 грн
25+
17.28 грн
70+
14.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-16А(1478990)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
15Вт(1449537)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-50А(1810523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISA35DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794793
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.64 грн
10+
28.52 грн
25+
17.28 грн
70+
14.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-16А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
42нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g