0 0 0
  8. SISA40DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISA40DN-T1-GE3

 
SISA40DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778297
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 129А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
10+
48.47 грн
25+
41.16 грн
26+
38.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
129А(1707112)
Опір в стані провідності
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
53нКл(1479049)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-8...12В(1979762)
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISA40DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778297
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 129А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
10+
48.47 грн
25+
41.16 грн
26+
38.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
129А
Опір в стані провідності
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
53нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-8...12В
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g