0 0 0
  8. SISA96DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISA96DN-T1-GE3

 
SISA96DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778333
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.00 грн
25+
20.65 грн
61+
16.52 грн
165+
15.64 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
17Вт(1740767)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
31нКл(1479192)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
65А(1759382)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISA96DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778333
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.00 грн
25+
20.65 грн
61+
16.52 грн
165+
15.64 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
17Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
31нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
65А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g