0 0 0
  8. SISC06DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISC06DN-T1-GE3

 
SISC06DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778479
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.19 грн
5+
55.62 грн
23+
44.50 грн
63+
42.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
4мОм(1479261)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Потужність розсіювання
29,6Вт(1960066)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
58нКл(1478954)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISC06DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778479
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.19 грн
5+
55.62 грн
23+
44.50 грн
63+
42.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Потужність розсіювання
29,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
58нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g