0 0 0
  7. SISF02DN-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SISF02DN-T1-GE3

 
SISF02DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778273
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А; Idm: 140А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.06 грн
5+
90.53 грн
14+
71.47 грн
38+
67.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
5,6мОм(1501041)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
44,4Вт(1811057)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...16В(1979763)
Струм стоку в імпульсі
140А(1759379)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні SISF02DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778273
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А; Idm: 140А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.06 грн
5+
90.53 грн
14+
71.47 грн
38+
67.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
5,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
44,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
56нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...16В
Струм стоку в імпульсі
140А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g