0 0 0
  7. SISF06DN-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SISF06DN-T1-GE3

 
SISF06DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778504
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 81А; Idm: 190А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
5+
71.51 грн
18+
56.41 грн
49+
53.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
81А(1479447)
Опір в стані провідності
6,95мОм(1960089)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
44,4Вт(1811057)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
190А(1790422)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні SISF06DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778504
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 81А; Idm: 190А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
5+
71.51 грн
18+
56.41 грн
49+
53.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
81А
Опір в стані провідності
6,95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
44,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
190А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g