0 0 0
  8. SISH106DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISH106DN-T1-GE3

 
SISH106DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778298
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 15,6А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
117.48 грн
5+
106.37 грн
12+
85.73 грн
33+
80.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
15,6А(1634370)
Опір в стані провідності
9,8мОм(1599498)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISH106DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778298
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 15,6А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
117.48 грн
5+
106.37 грн
12+
85.73 грн
33+
80.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
15,6А
Опір в стані провідності
9,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
27нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g