0 0 0
  8. SISH116DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISH116DN-T1-GE3

 
SISH116DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778364
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 13,1А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.04 грн
5+
100.92 грн
13+
81.05 грн
35+
76.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
13,1А(1602418)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISH116DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778364
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 13,1А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.04 грн
5+
100.92 грн
13+
81.05 грн
35+
76.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
13,1А
Опір в стані провідності
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g