0 0 0
  8. SISH129DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISH129DN-T1-GE3

 
SISH129DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794774
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.34 грн
5+
55.44 грн
23+
43.81 грн
63+
41.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-35А(1733903)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33,3Вт(1741824)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
71нКл(1479435)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISH129DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794774
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.34 грн
5+
55.44 грн
23+
43.81 грн
63+
41.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-35А
Опір в стані провідності
20мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
71нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g