0 0 0
  8. SISH407DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISH407DN-T1-GE3

 
SISH407DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794797
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -25А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
44.97 грн
25+
39.81 грн
28+
35.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-25А(1492388)
Опір в стані провідності
19,5мОм(1759074)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
21Вт(1507536)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
93,8нКл(1811069)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-40А(1810549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISH407DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794797
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -25А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
44.97 грн
25+
39.81 грн
28+
35.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-25А
Опір в стані провідності
19,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
21Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
93,8нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g