0 0 0
  8. SISH472DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISH472DN-T1-GE3

 
SISH472DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778523
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
36.86 грн
25+
33.05 грн
38+
26.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
18Вт(1449533)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISH472DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778523
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
36.86 грн
25+
33.05 грн
38+
26.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
18Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g