0 0 0
  8. SISH617DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISH617DN-T1-GE3

 
SISH617DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794800
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
50.66 грн
25+
40.62 грн
68+
38.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-35А(1733903)
Опір в стані провідності
22,2мОм(1960091)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
59нКл(1479513)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISH617DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794800
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
50.66 грн
25+
40.62 грн
68+
38.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-35А
Опір в стані провідності
22,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
59нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g