0 0 0
  8. SISH625DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISH625DN-T1-GE3

 
SISH625DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794783
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
42.38 грн
25+
38.08 грн
35+
29.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5980 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-35А(1733903)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
126нКл(1629833)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-80А(1789209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,097 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISH625DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794783
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
42.38 грн
25+
38.08 грн
35+
29.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5980 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-35А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
126нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,097 g