0 0 0
  8. SISH892BDN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISH892BDN-T1-GE3

 
SISH892BDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778578
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 16А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
47.19 грн
25+
42.59 грн
30+
34.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
34,7мОм(1960023)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
18,6Вт(1925265)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
26,5нКл(1609899)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISH892BDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778578
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 16А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
47.19 грн
25+
42.59 грн
30+
34.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
34,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
18,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
26,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g