0 0 0
  8. SISS02DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS02DN-T1-GE3

 
SISS02DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778586
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 80А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
101.29 грн
5+
91.72 грн
14+
72.58 грн
38+
67.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
1,83мОм(1960024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
83нКл(1479330)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...16В(1979763)
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS02DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778586
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 80А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
101.29 грн
5+
91.72 грн
14+
72.58 грн
38+
67.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
1,83мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
83нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...16В
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g