0 0 0
  8. SISS04DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS04DN-T1-GE3

 
SISS04DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778447
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 80А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.49 грн
5+
92.96 грн
14+
73.89 грн
37+
69.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
1,85мОм(1609923)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
93нКл(1479482)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...16В(1979763)
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS04DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778447
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 80А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.49 грн
5+
92.96 грн
14+
73.89 грн
37+
69.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
1,85мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
93нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...16В
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g