0 0 0
  8. SISS12DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS12DN-T1-GE3

 
SISS12DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1169017
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.86 грн
5+
69.92 грн
18+
55.62 грн
49+
52.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
2,74мОм(1960029)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
89нКл(1479442)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS12DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1169017
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.86 грн
5+
69.92 грн
18+
55.62 грн
49+
52.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
2,74мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
89нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g