0 0 0
  8. SISS22LDN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS22LDN-T1-GE3

 
SISS22LDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778554
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 74А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.68 грн
5+
71.52 грн
18+
57.22 грн
49+
54.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
74А(1492305)
Опір в стані провідності
5,1мОм(1479509)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS22LDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778554
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 74А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.68 грн
5+
71.52 грн
18+
57.22 грн
49+
54.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
74А
Опір в стані провідності
5,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
56нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g