0 0 0
  8. SISS27DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISS27DN-T1-GE3

 
SISS27DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794796
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
41+
24.85 грн
111+
23.50 грн
2000+
22.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2850 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-50А(1588832)
Опір в стані провідності
9мОм(1479207)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,14мкКл(1950534)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-200А(1810493)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,081 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISS27DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794796
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
41+
24.85 грн
111+
23.50 грн
2000+
22.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2850 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-50А
Опір в стані провідності
9мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,14мкКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,081 g