0 0 0
  8. SISS30DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS30DN-T1-GE3

 
SISS30DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778368
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 43,5А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
89.79 грн
5+
81.05 грн
16+
65.16 грн
43+
61.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
43,5А(1960031)
Опір в стані провідності
10,3мОм(1711589)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS30DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778368
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 43,5А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
89.79 грн
5+
81.05 грн
16+
65.16 грн
43+
61.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
43,5А
Опір в стані провідності
10,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
40нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g