0 0 0
  8. SISS30LDN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS30LDN-T1-GE3

 
SISS30LDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778354
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 44А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.63 грн
5+
74.69 грн
17+
59.59 грн
46+
56.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
44А(1479353)
Опір в стані провідності
12,2мОм(1707128)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS30LDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778354
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 44А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.63 грн
5+
74.69 грн
17+
59.59 грн
46+
56.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
44А
Опір в стані провідності
12,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
50нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g