0 0 0
  8. SISS32DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS32DN-T1-GE3

 
SISS32DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778456
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 50,3А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.99 грн
5+
80.25 грн
16+
63.56 грн
43+
60.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
50,3А(1960032)
Опір в стані провідності
8,7мОм(1479224)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS32DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778456
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 50,3А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.99 грн
5+
80.25 грн
16+
63.56 грн
43+
60.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
50,3А
Опір в стані провідності
8,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
42нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g