0 0 0
  8. SISS42DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS42DN-T1-GE3

 
SISS42DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778627
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 32,4А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
114.44 грн
5+
103.31 грн
13+
82.65 грн
34+
77.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
32,4А(1960033)
Опір в стані провідності
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS42DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778627
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 32,4А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
114.44 грн
5+
103.31 грн
13+
82.65 грн
34+
77.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
32,4А
Опір в стані провідності
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g