Транзистори з каналом N SMD SISS5108DN-T1-GE3

 
SISS5108DN-T1-GE3
 
Артикул: 846868
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 55,9А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
6000+
92.98 грн
Мін. замовлення: 6000
Кратність: 6000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
55,9А(1985926)
Опір в стані провідності
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
65,7Вт(1986240)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS5108DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846868
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 55,9А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
6000+
92.98 грн
Мін. замовлення: 6000
Кратність: 6000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
55,9А
Опір в стані провідності
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
65,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g