0 0 0
  8. SISS5808DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS5808DN-T1-GE3

 
SISS5808DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846891
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 66,6А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
6000+
76.29 грн
Мін. замовлення: 6000
Кратність: 6000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
66,6А(1985927)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
65,7Вт(1986240)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS5808DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846891
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 66,6А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
6000+
76.29 грн
Мін. замовлення: 6000
Кратність: 6000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
66,6А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
65,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
24нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g