0 0 0
  8. SISS588DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS588DN-T1-GE3

 
SISS588DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778600
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 46,5А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.04 грн
5+
72.30 грн
18+
58.00 грн
47+
54.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
46,5А(1775153)
Опір в стані провідності
9,3мОм(1493304)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36,3Вт(1960036)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
28,5нКл(1609985)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS588DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778600
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 46,5А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.04 грн
5+
72.30 грн
18+
58.00 грн
47+
54.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
46,5А
Опір в стані провідності
9,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
28,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g