0 0 0
  8. SISS61DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISS61DN-T1-GE3

 
SISS61DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794785
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.32 грн
10+
57.04 грн
25+
44.92 грн
26+
39.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5939 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-89,6А(1960092)
Опір в стані провідності
9,8мОм(1599498)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
42,1Вт(1960038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
231нКл(1942366)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-200А(1810493)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,099 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISS61DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794785
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.32 грн
10+
57.04 грн
25+
44.92 грн
26+
39.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5939 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-89,6А
Опір в стані провідності
9,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
42,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
231нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,099 g