0 0 0
  8. SISS65DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISS65DN-T1-GE3

 
SISS65DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794782
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; 75,2А; Idm: -120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
46.20 грн
25+
40.71 грн
28+
36.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
75,2А(1960094)
Опір в стані провідності
7,5мОм(1441297)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
42,1Вт(1960038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
138нКл(1632957)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-120А(1758559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISS65DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794782
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; 75,2А; Idm: -120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
46.20 грн
25+
40.71 грн
28+
36.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
75,2А
Опір в стані провідності
7,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
42,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
138нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g