0 0 0
  8. SISS66DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS66DN-T1-GE3

 
SISS66DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778408
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.73 грн
5+
88.19 грн
15+
70.71 грн
40+
67.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
142,6А(1960085)
Опір в стані провідності
2,19мОм(1960086)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Потужність розсіювання
42,1Вт(1960038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
85,5нКл(1960084)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS66DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778408
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.73 грн
5+
88.19 грн
15+
70.71 грн
40+
67.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
142,6А
Опір в стані провідності
2,19мОм
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Потужність розсіювання
42,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
85,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g