0 0 0
  8. SISS70DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS70DN-T1-GE3

 
SISS70DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778451
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; польовий; 125В; 24,8А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.63 грн
5+
76.91 грн
16+
61.85 грн
44+
57.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
125В(1638750)
Струм стока
24,8А(1960037)
Опір в стані провідності
29,8мОм(1960039)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42,1Вт(1960038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15,3нКл(1479243)
Технологія
ThunderFET(1714476) TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS70DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778451
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; польовий; 125В; 24,8А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.63 грн
5+
76.91 грн
16+
61.85 грн
44+
57.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
125В
Струм стока
24,8А
Опір в стані провідності
29,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15,3нКл
Технологія
ThunderFET
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g